除了3nm工艺，实际上三星还预备了其他各式各样的工艺，从14、10nm节点往下掩盖到每一个数字上了，未来还要进军3nm以下的2nm乃至1nm工艺，要应战

  这也带来了别的一个问题，那就是我们对三星的制程工艺感觉很紊乱，比方高通的骁龙处理器，用三星代工的就有10nm工艺，还有11nm工艺的，也有8nm工艺的，未来或许还有6nm、5nm工艺的，这些工艺都有什么差异？

  Cacdence公司官方博客专栏作家保罗麦克莱伦日前撰文剖析了三星的制程工艺，用一张简练并且明晰的图标汇总了三星现在的制程工艺，如下所示：

  7nm节点中，三星这一次抛弃LPE低功耗，当即进入了7nm LPP（还有EUV光刻工艺辅佐）、6nm LPP、5nm LPE、4nm LPE等衍生版。

  线nm开端会抛弃FinFET转向GAA晶体管，第一代是3GAE工艺，还有优化版3GAP工艺，后续还在持续优化改进中。

  三星各个工艺的时刻点也不同，7nm EUV工艺本年4月份开端量产，下半年开端推6nm工艺，5nm工艺本年4月份完结开发，下半年初次流片，2020年量产。

  4nm工艺本年下半年完结开发，而3nm GAE工艺现已发布了1.0版PDK，预期是2021年量产。

  !GAAFET! /

  篇拆解陈述，称比特微电子的Whatsminer M56S++矿机所用的AISC芯片选用的是

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